SIMOX技術(shù)是早的SOI晶圓制備技術(shù)之一，是利用離子注入技術(shù)把氧離子注入到硅中，形成氧化物隔離埋層，通過(guò)氧化物隔離埋層隔離襯底和頂層硅薄膜層。氧離子注入的能量為200keV，劑量為  ，氧離子會(huì)注入到硅晶圓表面下方；然后經(jīng)由3~6小時(shí)的高溫（1350℃）退火，硅晶圓里的氧離子和硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在硅晶圓表面下方形成一層厚度小于240nm的二氧化硅絕緣層材料。而在此二氧化硅絕緣層的上方則會(huì)產(chǎn)生一層結(jié)晶層，它們就組成了硅薄層-二氧化硅絕緣層材料-硅襯底的SOI結(jié)構(gòu)。
品名稱：NxN速光開關(guān)
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
高速鈮酸速光開光具有的開關(guān)速度（標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品是10ns，速產(chǎn)品為<100ps），較低的插損（標(biāo)準(zhǔn)插損3.5dB，插損型號(hào)為2dB），高開關(guān)速率為亞納秒，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為10ns開關(guān)速率，產(chǎn)品也適合領(lǐng)域的微波通信用途。通道數(shù)可定制！

高集成化光開關(guān)，作為實(shí)現(xiàn)全光交換功能的核心部件，目前國(guó)內(nèi)普遍采用單器件級(jí)聯(lián)拼接的方式實(shí)現(xiàn)矩陣化。這種方案在其指標(biāo)、工藝要求、產(chǎn)品可靠性及成本等方面形成瓶頸，導(dǎo)致國(guó)內(nèi)全光交換應(yīng)用在推廣性、發(fā)展難以突破。

為了對(duì)短時(shí)間大視場(chǎng)一維光強(qiáng)信息進(jìn)行采集,采用編碼轉(zhuǎn)換技術(shù)和自聚焦透鏡矩形陣列設(shè)計(jì)了光開關(guān),用小口徑電光晶體實(shí)現(xiàn)了大視場(chǎng)的測(cè)量.采用MOS管級(jí)聯(lián)的高壓同步電路,使得系統(tǒng)具有結(jié)構(gòu)緊湊、、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn).實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:開關(guān)選通時(shí)間100±5 ns,前后沿小于25 ns,消光比1 100∶1

NxN可定制通道
提供差損類型，差損<3dB, <2dB可以定制。
可定制超小尺寸
雪崩光電探測(cè)器（APD）
產(chǎn)品特性：
高速響應(yīng)達(dá)GHz
封裝尺寸小：50 x 50 x 45 mm
400-1000 nm /850-1650 nm波長(zhǎng)可選
增益連續(xù)可調(diào)：1x to 100x (ADP210)
1x to 10x (ADP310)
SM05適配器