關(guān)鍵詞 |
集成 可調(diào)光延時芯片,可調(diào)光延時芯片,光延時芯片,集成光延時芯片 |
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硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時器芯片
Single-chip Integrated 7 Bit Optical Delay Chip
〖簡介Introduction〗
梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下,硅波導(dǎo)延時使其延時精度提升 1 個量級,厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平,單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。
〖主要性能指標(biāo) Specifications〗
性能指標(biāo) Parameter | 單位 Unit | 典型值 Typical value | 備注 Notes |
延時位數(shù) Delay bits | / | 7 | 可定制 Can be customized |
小延時步進(jìn) Min.step-delay | ps | 2 | 可定制 Can be customized |
可調(diào)節(jié)大延時量 Adjustable max.delay | ps | 254 | |
延時偏差 Delay deviation | ps | ≤±0.5 | ≤±1@max |
延時切換時間 Delay switching time | μs | ≤1 | |
插入損耗 Insertion loss | dB | 14 | |
各延時態(tài)損耗差異 Delay state loss difference | dB | ±0.5 | |
回波損耗 Return loss | dB | 45 | |
芯片尺寸 Chip dimension | mm | 19×11×0.7 |
〖電管腳定義 Pin definition〗
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2×2 光開關(guān)(圖 1)的“交叉”、“直通”傳輸狀態(tài)定義如下:
The "Cross" and "Bar" transmission states of the 2×2 optical switch (Figure 1) is defined as follows:
“交叉”狀態(tài)(cross 態(tài)):從輸入 A 端輸入,輸出端 D 有光信號輸出,輸出端 C 沒有光信號輸出時,即為”交叉“態(tài)(A→D);類似定義,從輸入端 B 輸入,輸出端 C 光信號輸出,輸出端 D 沒有光信號輸出,也為”交叉“態(tài)(B→C)。
“直通”態(tài)(bar 態(tài)):從輸入端 A 處輸入,輸出端 C 有輸出光信號,輸出端 D 沒有光信號輸出時,即為”直通“態(tài)(A→C);類似定義,從輸入端 B 輸入,輸出端 D 有光信號輸出,輸出端 C 沒有光信號輸出,也為“直通”態(tài)(B→D)。
光延遲線在微波光子領(lǐng)域也有廣泛用途,比如光控相控陣?yán)走_(dá)、微波光子濾波器等。在傳統(tǒng)電學(xué)相控陣?yán)走_(dá)中,由于微波相移器的相移量與頻率有關(guān),導(dǎo)致不同頻率的微波信號所對應(yīng)的方向角不一致而引入孔徑效應(yīng)。利用光學(xué)系統(tǒng)實現(xiàn)的光控相控陣?yán)走_(dá)中,相移單元采用光學(xué)真延遲線,能不同頻率微波信號具有一致的方向角,可以克服電子相移器帶寬有限造成的孔徑渡越現(xiàn)象,是新體制雷達(dá)中的關(guān)鍵技術(shù)之一。光控相控陣?yán)走_(dá)中對微波信號大角度連續(xù)掃描要求光延遲線具有大范圍連續(xù)延時調(diào)節(jié)能力。
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