EUPEC晶閘管T298N06TOF平板可控硅T358N06TOF

可控硅的主要參數有：

1、 額定通態平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。

2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。

3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。

4、 觸發電壓VGT 在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的小控制極電流和電壓。

5、 維持電流IH 在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。

分類編輯

可控硅有多種分類方法。

（一）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

可控硅開關

可控硅開關

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

（五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。

（六）過零觸發-一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發，是過零點才觸發，導通可控硅。

（七）非過零觸發-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅，常見的是移相觸發，即通過改變正弦交流電的導通角（角相位），來改變輸出百分比。

T358N16TOF、T508N16TOF、T588N16TOF、T589N16TOF、T718N16TOF、T1189N16TOF。

T 系列相控可控硅（ Phase Control Thyristors ）—平板型
Up to 800V

T348N02TOF
T348N04TOF
T348N06TOF
T568N02TOF
T568N04TOF
T568N06TOF
T828N02TOF
T828N04TOF
T828N06TOF
T1078N02TOF
T1078N04TOF
T1078N06TOF
T1258N02TOF
T1258N04TOF
T1258N06TOF
T3709N02TOF
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T3709N06TOF

Up to 2000V

T178N06TOF
T178N08TOF
T178N10TOF
T178N12TOF
T178N14TOF
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T298N06TOF
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T589N06TOF
T589N08TOF
T589N10TOF
T589N12TOF
5SDF13H4501
5SDF14H4505
5SDF10H6004
5SDF05D2505
5SDF11F2501
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5SDF13H4501
5SDF10H6004
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5SDF07H4501
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5SGA30J4502
5SGA40L4501
5SGF30J4502
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5SHY35L4512
5SHY35L4512
5SHY42L6500
5SHY55L4500
5SHZ04D6500