充分發揮 Gemini 2 型光學系統的性能優勢
GeminiSEM 460 的 特 殊 之 處 在 于 配 備 的 Gemini 2 型光學系統主要運用了雙聚光鏡， 在獲得理想的小電子束斑同時可連續調節束 流。這使高電子束能量密度下的低束流高分 辨率成像和高束流分析得到了。此外， 您也可以在不同的成像模式之間進行無縫切 換或更改成像參數。此操作簡便快速，因為 在更改成像參數后無需進行校準，而且經調 校的掃描電鏡可以保持穩定地工作。

? 通過 Nano-twin 物鏡實現低電壓下的優 化高分辨率
? 通過新的大視野概覽模式實現樣品導航和 高分辨率成像之間的無縫過渡
? 通過新的自動聚焦功能和新的快速鏡筒對 中算法實現高速優化圖像質量。

智能自動光路調節優化了通過鏡筒的電子軌 跡，從而確保了在每個加速電壓下盡可能高 的分辨率。它還引入了新的自動功能，在整 個放大倍數范圍內(從 1 倍到 2,000,000 倍) 實現無縫對準自由切換，并將觀察視野增 加了 10 倍，從而可以在單幅圖像中完整成 像 13 厘米的物體。GeminiSEM 560 保持了 市場上尺寸達 32k × 24k 的超大圖像存儲像素， 在大視野無畸變拼接成像方面優勢。

分辨率模式
在高分辨率電子槍模式下， 電子束色差降低， 從而實現更小的束斑。
在樣品臺減速技術模式下， 為樣品施加減 速電壓。該減速電壓可進一步提高 1 kV 以 下的圖像分辨率并增強背散射探測器的檢 測效率。

全套探測系統： 根據出射能量和出射角選 擇性地探測樣品的電子
GeminiSEM 系列的全套探測系統有大量不同 的探測器可供選配。通過組合 EsB (能量選 擇背散射) 探測器、 Inlens 二次電子探測器 及 AsB (角度選擇背散射) 探測器獲取樣品 材料、表面形貌或結晶度的信息。入射電子 與樣品作用后可產生二次電子( SE ) 和背散 射電子( BSE )。從納米級樣品表面逃逸出的、 能量小于 50 eV 的二次電子可用來表征樣 品的表面形貌。這些二次電子可通過特設 計的電子束推進器向后加速進入鏡筒，并經 Gemini 物鏡投射到環形 Inlens 二次電子探測 器里。 GeminiSEM 可根據樣品的表面條件在 寬角度范圍內探測二次電子。

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