硅基單片集成 9bit 可調光延遲線芯片

單片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能優和集成度高的光時延器產品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內單級延時損耗低至 0.8dB/bit。相比于傳統采用微波傳輸線的電時延芯片，光時延器可以適用任意的微波和毫米波頻段，具有極低的串擾和的非目標時延信號消光比。大時延 1ns 的 9bit 可調光延時芯片尺寸小至 2cm×1.5cm，大幅度減小系統體積；由于光載波頻率相對于微波信號大至 4 個數量級的頻率比，光子集成的時延器芯片具有覆蓋從米波到毫米波全頻段的信號處理能力，適合各類超寬帶相控陣的波束合成應用。

硅基單片集成 9bit 可調光延遲線芯片特性

高速切換（100～200ns）
高延時精度（0.5ps 典型值，0.2ps 可達）
超小尺寸
超寬帶工作
全固態波導芯片可靠性強
大時延范圍(～2ns 可達)
高功率耐受度（ 23dBm 典型值）


硅基單片集成 9bit 可調光延遲線芯片應用領域

光控相控陣系統、超寬帶光域信號處理
硅基單片集成 9bit 可調光延遲線芯片主要性能指標


性能指標Parameter

單位Unit

典型值Typ.

備注Notes

工作波長Operationwavelength

nm

1530-1570



延時位數Delay bits

/

9

可定制Can be customized

小延時步進Min.step-delay

ps

2

可定制Can be customized

可調節大延時量Adjustable max.delay

ps

1022



延時精度Time-delay accuracy



ps

±0.5

≤16ps 延時量 delay time

±1

18~64ps 延時量delay time

±2

66~512ps 延時量delay time

±3

514~1022ps 延時量delay time

延時切換時間Delay switching time

ns

200



插入損耗Insertion loss

dB

11

13dB max

各延時態損耗差異Delay state loss difference

dB

±1



大耐受光功率Max. tolerance opticl power

dBm

23

26dBm max

回波損耗Return loss

dB

45



芯片尺寸Chip dimension

mm

20×15×0.7



芯片尺寸（單位：mm）示意圖

硅基單片集成 9bit 可調光延遲線芯片尺寸圖



四川梓冠光電生產的硅基器件芯片系列包括：硅基單片集成 9bit 可調光延遲線芯片、硅基單片集成 7bit 可調光延時器芯片、單片集成 6 比特光延時芯片、SOI芯片可調光濾波器陣列、SOI芯片光電探測器陣列、SOI高速多通道光衰減器、SOI高速光開關陣列等，歡迎咨詢！

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