SIMOX技術的優點是：能形成比較均勻的埋層氧化物Burried Oxide—BOX，因為可以通過控制注入能量來控制BOX上硅的厚度；BOX與頂層硅之間的界面也平整。SIMOX技術的缺點是：BOX和頂層硅的厚度只能在有限的范圍內進行調整，BOX的厚度通常不超過240nm（厚度太薄會導致頂層與襯底擊穿，頂層硅薄膜和襯底之間的寄生電容會增加），而頂層硅薄膜厚度不超過300nm（厚度不夠，需要進行硅的外延來補足，然后CMP平坦化處理，成本過高）；另外，SIMOX還會造成表層薄膜損傷，頂層硅薄膜的晶體質量不及體單晶硅，埋層SiO2的晶體質量不如熱氧化生長的SiO2；SIMOX需要用上昂貴的大束流注氧離子注入機，還需要長時間的高溫退火工藝，成本較高。
品名稱：NxN速光開關
產品簡介：
高速鈮酸速光開光具有的開關速度（標準產品是10ns，速產品為<100ps），較低的插損（標準插損3.5dB，插損型號為2dB），高開關速率為亞納秒，標準產品為10ns開關速率，產品也適合領域的微波通信用途。通道數可定制！
為了對短時間大視場一維光強信息進行采集,采用編碼轉換技術和自聚焦透鏡矩形陣列設計了光開關,用小口徑電光晶體實現了大視場的測量.采用MOS管級聯的高壓同步電路,使得系統具有結構緊湊、、壽命長等優點.實驗結果表明:開關選通時間100±5 ns,前后沿小于25 ns,消光比1 100∶1
NxN可定制通道
提供差損類型，差損<3dB, <2dB可以定制。
可定制超小尺寸
詳情介紹：
高速光開關陣列的特點：本系列光開關產品為集成式低損耗，無阻斷高速光開關陣列，可用于高速光切換，網絡配置及光學包交換。
大多數光電類型使用pn結，而基于Si或Ge的結稱為Si電池或Ge電池。由于具有從可見光到近紅外的良好特性，因此具有廣泛的應用范圍。當以施加反向偏置電壓并取出電流的方式使用光伏器件時，其具有的測量特性。通常稱為光電二管，它越來越多地代替光電倍增管。光電晶體管使用與光電二管相同的檢測方法，但結合了用于放大輸出的機制。
