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羅姆碳化硅mosfet肖特基二極管SCS206/208/210/212/215/220AGC

更新時間:2024-02-27 11:20:02 信息編號:062bn722g9d87f
羅姆碳化硅mosfet肖特基二極管SCS206/208/210/212/215/220AGC
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詳情介紹

羅姆碳化硅mosfet肖特基二極管SCS206/208/210/212/215/220AGC

產品別名
汽車車載肖特基二極管,新能源肖特基元器件,光伏肖特基二極管,新設備肖特基二極管
面向地區
溝道類型
其它
規格
其它
材料
SB肖特基勢壘柵
產品認證
ROHS
導電方式
其它
封裝外形
P-DIT/塑料雙列直插
頻率范圍
47-63HZ
輸出電流
1.12A
輸出電壓
36v
輸出功率
40w
輸入電壓
220v
公司簡介
源芯半導體有限公司專注于SiC功率元器件、SiC(碳化硅)MOSFET、SiC SBD肖特基勢壘二極管、全SiC功率模塊、及碳化硅周邊IC等代理分銷。授權代理品牌有:ROHM、CREE品牌代理與經銷。我司位于中國電子元器件集散中心-深圳,團隊有十一年的經驗,我們有信心與您一起應對緊缺與計劃各類采購任務,為我們共同長遠的價值和共贏提供保障!企業宗旨:忠誠 責任 創造 共贏

羅姆的肖特基二極管是兼備低VF,低IR,高ESD強度的二極管
SiC(碳化硅)肖特基二極管
SiC肖特基勢壘二極管(SiC SBD)具有很小的總電荷(Qc),低開關損耗且高速開關工作。因此,它被廣泛用于電源的PFC電路中。此外,與硅基快恢復二極管的trr(反向恢復時間)會隨溫度的升高而增加不同,碳化硅(SiC)器件可保持恒定的特性,從而改善了電路性能。制造商能夠減小工業設備和消費類電子產品的尺寸,非常適合在功率因數校正電路和逆變器中使用。

SiC SBD用于提高電力轉換系統的可靠性,例如電池充電,電動汽車和混合動力車的充電電路以及太陽能電池板。 此外,它還被用于X射線發生裝置等高壓設備。

羅姆已發布的第3代SiC SBD的SCS3系列能夠提供更大的浪涌電流容量,同時還能進一步降低第2代SBD的正向電壓。
第2代 Sic MOSFET
SCH2080KE - N 1200 40 262 80 106 18 TO-247
SCT2080KE - N 1200 40 263 80 106 18
SCT2080KEAHR YES N 1200 40 264 80 106 18
SCT2160KE - N 1200 22 165 160 62 18
SCT2160KEAHR YES N 1200 22 165 160 62 18
SCT2280KE - N 1200 14 108 280 35 18
SCT2280KEAHR YES N 1200 14 108 280 35 18
SCT2450KE - N 1200 10 85 450 27 18
SCT2450KEAHR YES N 1200 10 85 450 27 18
SCT2750NY - N 1700 5.9 57 750 17 18 TO-268-2L
SCT2H12NY - N 1700 4 44 1150 14 18
SCT2H12NZ - 1700 3.7 35 1150 14 18 TO-3PFM
第3代 Sic MOSFET
SCT3017AL - N 650 118 427 17 172 18 TO-247N
SCT3022AL - N 650 93 339 22 133 18
SCT3030AL - N 650 70 262 30 104 18
SCT3060AL - N 650 39 165 60 58 18
SCT3080AL - N 650 30 134 80 48 18
SCT3120AL - N 650 21 103 120 38 18
SCT2120AF - N 650 29 165 120 61 18 TO-220AB
SCT3022KL - N 1200 95 427 22 178 18 TO-247N
SCT3030KL - N 1200 72 339 30 131 18
SCT3040KL - N 1200 55 262 40 107 18
SCT3080KL - N 1200 31 165 80 60 18
SCT3160KL - N 1200 17 103 160 42 18</a>

深圳源芯半導體有限公司 6年

  • sic碳化硅功率元器件,sic碳化硅肖特基勢壘,sic mosfet,sic碳化硅驅動芯片ic
  • 廣東深圳市福田區深南中路世紀會都會軒32樓3203室

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